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MRF5S9070NR1
1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
RF Power Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Designed for broadband commercial and industrial applications with
frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of
this device make it ideal for large-signal, common-source amplifier applica-
tions in 26 volt base station equipment.
?
Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 880 MHz, VDD
= 26 Volts,
IDQ
= 600 mA, P
out
= 14 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,
Traffic Codes 8 Through 13)
Power Gain ? 17.8 dB
Drain Efficiency ? 30%
ACPR @ 750 kHz Offset ? -47 dBc in 30 kHz Bandwidth
?
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 70 Watts CW
Output Power
Features
?
Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
?
Integrated ESD Protection
?
200°C Capable Plastic Package
?
N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
?
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
VDSS
- 0.5, +68
Vdc
Gate-Source Voltage
VGS
- 0.5, +15
Vdc
Total Device Dissipation @ TC
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
219
1.25
W
W/°C
Storage Temperature Range
Tstg
- 65 to +150
°C
Operating Junction Temperature
TJ
200
°C
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value (1,2)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 80°C, 70 W CW
Case Temperature 78°C,
14 W CW
RθJC
0.80
0.93
°C/W
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
2 (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°C
1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.
Select Documentation/Application Notes - AN1955.
Document Number: MRF5S9070NR1
Rev. 7, 6/2009
Freescale Semiconductor
Technical Data
880 MHz, 70 W, 26 V
SINGLE N-CDMA
LATERAL N-CHANNEL
BROADBAND
RF POWER MOSFET
CASE 1265-09, STYLE 1
TO-270-2
PLASTIC
MRF5S9070NR1
?
Freescale Semiconductor, Inc., 2006, 2009. All rights reserved.
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